| Marque | Infineon |
| Produit | FF225R12ME4 |
| Description | Modules de silicium IGBT |
| Code intérieur | IMP1344518 |
| Poids | 0.35 |
| Code douanier | 85359000 |
| Spécifications techniques | INFINEON TECHNOLOGIES AG MODULE IGBT 1200 V 225 A Produit : Modules de silicium IGBT Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1200 V Tension de saturation du collecteur-émetteur : 2,15 V Courant de collecteur continu à 25 °C : 225 A Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA Pd - Puissance dissipée : 1050 W Température de fonctionnement minimale : - 40 °C Température de fonctionnement maximale : + 150 °C Emballage : plateau Marque : Infineon Technologies Tension maximale de l'émetteur de grille : 20 V Style de montage : montage sur châssis Type de produit : Modules IGBT Série : Trench/Fieldstop IGBT4 - E4 |
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